一₪╃▩₪、高流速☁↟,低壓力和清洗頻率
(1)清洗的流速
裝置執行時☁↟,附著性高的粒子狀汙染物逐漸堆積在膜表面││✘◕·。如果清洗時的流速與執行時的流速相等或更低☁↟,則很難把這些汙染物從膜元件中清洗出來││✘◕·。
(2)清洗壓力
正常高壓運轉時☁↟,壓力直接垂直作用膜面☁↟,使進水透過膜面得到產水☁↟,同時汙染物也被壓向膜面││✘◕·。所以在清洗時☁↟,如果採用同樣的高壓☁↟,則汙染物被積壓在膜表面☁↟,清洗的效果就會降低││✘◕·。清洗時儘可能的透過低壓☁↟,高流速的方式☁↟,增加水平方向的剪斷力把汙染物衝岀膜元件││✘◕·。
(3)清洗頻率條件允許的情況下☁↟,建議經常對系統進行清洗││✘◕·。增加清洗的次數比延長1次清洗的時間更為有效般清洗的頻率││✘◕·。
(3)化學清洗·↟·☁☁:主要是透過化學藥劑對濾膜進行清洗☁↟,所以要選擇適宜的化學藥劑││✘◕·。
二₪╃▩₪、因素·↟·☁☁:
(1)首先要與裝置製造商₪╃▩₪、R0膜元件廠商R0特用化學藥劑及服務人員取得聯絡││✘◕·。確定主要的汙染物☁↟,選擇合適的化學淸洗藥劑││✘◕·。
(2)有時針對某種特殊的汙染物或汙染狀況☁↟,要使用RO藥劑製造商的專用化學淸洗藥劑☁↟,並且在應用時☁↟,要遵循藥劑供應商提供的產品效能及使用說明││✘◕·。
(3)特殊情況下可針對具體情況☁↟,從反滲透裝置取岀已發生汙染的單支膜元件進行測試和清洗試驗☁↟,以確定合適的化學藥劑和清洗方案││✘◕·。
三₪╃▩₪、EDI模組清洗操作步驟·↟·☁☁:
1.濃水室結垢清洗;
2.記錄清洗前所有資料;
3.分離EDI膜塊與其他裝置的連線管路;
4.連線清洗裝置(見清洗流程圖)☁↟,使清洗泵透過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱☁↟,濃水進₪╃▩₪、出水閥開啟☁↟,關閉EDI淡水進水閥和產水閥;
5.在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液;
6.啟動清洗泵☁↟,調節濃水進水閥☁↟,以規定的流量迴圈清洗(酸洗步驟)││✘◕·。(參見附表)停止清洗泵☁↟,排空清洗水箱清洗廢液☁↟,分離濃水排水閥至地溝;
7.向清洗水箱連續注入清水(RO產水)☁↟,啟動清洗泵連續清洗(沖洗步驟);
8.開啟EDI進水閥和產水閥☁↟,同時對兩個水室進行沖洗;
9.檢測濃水出水側的水質☁↟,直至與進水側電導率相近;
10.各個閥門☁↟,恢復原始各設計流量資料;
11.恢復EDI各個管路與其他系統的連線;
12.開啟PLC控制櫃電源☁↟,向EDI膜塊送電☁↟,轉入正常執行☁↟,並作好初次執行的資料記錄││✘◕·。